- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11543 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique tunnel également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11543
Brevets de cette classe: 39
Historique des publications depuis 10 ans
1
|
3
|
5
|
7
|
3
|
3
|
10
|
2
|
3
|
1
|
2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
8 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
4 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
3 |
Winbond Electronics Corp. | 1173 |
3 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
2 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
2 |
Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
Marlin Semiconductor Limited | 460 |
2 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
1 |
Texas Instruments Incorporated | 19376 |
1 |
STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
1 |
Allegro Microsystems, LLC | 1206 |
1 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
1 |
Integrated Silicon Solution (Shanghai), Inc. | 6 |
1 |
IoTMemory Technology Inc. | 5 |
1 |
Microchip Technology Incorporated | 2644 |
1 |
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
1 |
Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
1 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |